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onsemi 推出 EliteSiC M4第四代碳化硅平台，功率密度提高30%，损耗降低35%
发布于 · 本站收录 2026-11-11 00:50
位于美国亚利桑那州斯科茨代尔的智能电源和传感技术公司 onsemi 推出了 EliteSiC M4，这是其基于沟槽架构构建的第四代碳化硅 (SiC) 平台，旨在为下一代电力系统设定新的性能基准。
英文原文标题与摘要
onsemi introduces EliteSiC M4 fourth-gen silicon carbide platform, with up to 30% higher power density and 35% lower losses
Intelligent power and sensing technology firm onsemi of Scottsdale, AZ, USA has introduced EliteSiC M4, its fourth-generation silicon carbide (SiC) platform built on a trench architecture and designed to set a new performance benchmark for next-generation power systems.
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