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三菱电机使用氮化镓衬底抑制氮化镓晶体管中的频率色散
发布于 · 本站收录 2026-11-11 00:44
总部位于东京的三菱电机公司声称，它在世界上第一次阐明了由氮化镓晶体缺陷引起的频率色散（高频器件的电流值和其他特性因工作频率而异）的影响。
英文原文标题与摘要
Mitsubishi Electric suppresses frequency dispersion in GaN transistors using GaN substrates
Tokyo-based Mitsubishi Electric Corp claims that, for the first time in the world, it has elucidated the effects of frequency dispersion (whereby current values and other characteristics of high-frequency devices vary depending on the operating frequency) caused by crystal defects in a gallium nitride (GaN) transistor (fabricated from a single-crystal GaN ep
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