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Nexperia 为下一代功率密度和效率添加超低电阻氮化镓 FET
发布于 · 本站收录 2026-11-11 00:33
荷兰奈梅亨的分立器件设计商和制造商 Nexperia B.V. （在德国汉堡和英国曼彻斯特黑兹尔格罗夫经营晶圆厂）推出了新的超低欧姆氮化镓（GaN） FET，扩大了其中低压 GaN 产品组合，
英文原文标题与摘要
Nexperia adds ultra-low-resistance GaN FETs for next-gen power density and efficiency
Discrete device designer and manufacturer Nexperia B.V. of Nijmegen, the Netherlands (which operates wafer fabs in Hamburg, Germany, and Hazel Grove Manchester, UK) has launched new ultra-low-ohmic gallium nitride (GaN) FETs, expanding its low- and medium-voltage GaN portfolio with devices spanning 18V to 200V.
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